工艺技术
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- 发布时间:2021-02-27 18:17:17
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基本半导体工艺涵盖650V~10kV 碳化硅工艺平台,碳化硅沟槽刻蚀最高可达20μm。
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基本半导体工艺涵盖650V~10kV 碳化硅工艺平台,碳化硅沟槽刻蚀最高可达20μm。
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